- 主题:[求助]请教各位一个工艺问题
现在想把划完片的芯片侧面进行氧化或者钝化，有什么方法可以解决吗
如果可能的话，芯片背面也进行氧化或者钝化
谢谢啦
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FROM 115.171.254.*
想用pecvd，不知道有没有温度更低点的
【 在 dkf5201314 的大作中提到: 】
: ALD或CVD 考虑下？
: 发自「今日水木 on CLT-AL00l」
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FROM 182.242.240.*
工作环境有点特殊，在液氮下工作，不知道胶的低温性能怎么样
【 在 Suporbb 的大作中提到: 】
: 封胶可以吗
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FROM 182.242.240.*
可以找个研究所做，工艺控制要求不严格，只要达到侧壁绝缘就行
实在不行可以考虑买个机器专门做这个
现在就是看看用pecvd从具体工艺上可不可行，或者用更低温的
比较担心破坏芯片功能
【 在 kleinprince 的大作中提到: 】
: fab应该不允许吧。划完片particle肯定超标。如果划完片要做钝化，就做封装好了，做塑封。氧化比较困难，光污染这块就很难处理
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FROM 124.126.7.*
划片考虑用冷激光划片，如果不太整齐，立起来用mcp对侧壁进行修型
侧壁生长氧化层是为了在侧壁生长金属线（不是TSV工艺），总的厚度要控制在100um以内
sog和低温CVD都可以考虑，等我搞点经费试验下摸摸底
【 在 dxg2000 的大作中提到: 】
: 现在想把划完片的芯片侧面进行氧化或者钝化，有什么方法可以解决吗
: 如果可能的话，芯片背面也进行氧化或者钝化
: 谢谢啦
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FROM 124.126.7.*
可以翻过来，把侧面和背面都氧化了
【 在 marxsemi 的大作中提到: 】
: 划片后可以贴在大的晶圆上放入腔室。ICP-CVD设备沉积温度能控制在100摄氏度以内，可以了解一下
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FROM 124.126.7.*