这算是某种意义上的偷换概念吧；
现在被卡脖子最厉害的是先进制程；
这些个化合物半导体本质上还是材料的底子；


【 在 JavaGuyHan (苔丝狄梦娜之吻) 的大作中提到: 】
: 最近突然听到一种说法流传很广“第三代半导体可以帮助hw度过危机，帮助中国IC产业弯道超车”，这种说法是有些问题的。
: 以SiC,SiGe,GaAs,GaN等为代表的第三代半导体材料主要优点是禁带宽、Ft高等，所以适合制造大功率IC或射频IC，但是对于如手机、AI、可穿戴设备等需要集成度高、超低功耗的场景则不适用。所以实际上它和hw目前的主要业务并不在同一赛道，何来弯道超车呢？
: 但是，第三代半导体依然意义重大，新基建七大领域: 5G、AI、大数据中心、特高压、新轨道交通、充电桩和工业互联网中，除了前两者，基本都是大功率IC发挥核心作用的场合，就算在5G和AI建设中，除终端设备外，基站建设也更依赖于大功率和射频IC。而且第三代半导体从基础材
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