- 主题:2纳米环栅晶体管工艺取得突破
mos管的沟道开始只需要上边加栅电压开关，后来随着线宽减小，需要三面加栅电压。现在是四面一圈的栅，包着沟道来开关。以后是把这个环栅做的越来越薄，把有源区做的越来越细。最终的环栅厚度和沟道直径大约会是两三个埃米的样子，也就是两三个硅原子的大小。
【 在 grampus (大雄) 的大作中提到: 】
: 2020年9月21日消息，台积电2nm工艺取得重大突破，于全球首家提出实现环栅晶体管（GAA）的具体方案——多桥沟道场效应晶体管（MBCFET），该晶体管器型解决了鳍式场效应晶体管（FinFET）由于尺寸进一步微细化而导致的电流沟道难以关闭问题。与台积电公司目前的7纳米工艺相
: 鳍式场效应晶体管是目前数字集成电路的基本器件，其栅极采用三包围结构以加强电场对电流通道的控制，解决了平面晶体管电流通道难以关闭的问题，将摩尔定律延续了10年。环栅晶体管是鳍式场效应晶体管的后继器件，其栅极被四面完全包围，是当前晶体管的理想形式也是最终形
: 台积电公司总裁魏哲家表示：该公司将在2023年下半年开始基于多桥沟道场效应晶体管的微处理器风险试生产，按规划将达到90%的良率，而大规模生产将在2024年开始。
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cmos会永世长存，无敌于天下。
两埃米以后的cmos工艺发展，会寻求其它小原子的物质来代替硅，比如碳。
先是硅的沟道，碳化硅的栅，然后是硅的沟道，纯碳的栅，最后是全碳的mos管。
然后再然后，寻求更小原子的金属来做栅，比如碳化锂，同时mos管的沟道就是一根碳纳米管。
【 在 grampus (大雄) 的大作中提到: 】
: 环栅也就能用一两个节点，然后就是后cmos器件了。
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高速数字芯片和功率芯片原本就是两个世界，你不要拿另一个东西来换概念。
然后的然后的然后，只能用最小原子的氢来做集成电路。氢在极低温和极高压下，会从气体变成液体，再变成固体，再变成氢金属。在一个特定的低温高压条件下，会出现半导体状态的氢固体，应该是可以做成芯片的。
一台这样高高高速计算机给整个地球使用都足够了，所有人都在云端操作，不需要有家用的微机。
【 在 grampus (大雄) 的大作中提到: 】
: 碳管的功率太高，只是硅管的十分之一，用不了多久。
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这都不是问题，调一下芯片电压和管子阈值就好了
【 在 grampus (大雄) 的大作中提到: 】
: 好象数字逻辑芯片不消耗功率似的。你器件增加了十倍，管子只比前一代低十倍，再发展就要把芯片烧化了。这和功率芯片有什么关系。
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现在有氢金属，用来做最大当量的常规炸弹。
在氢凝结成固体的过程中，会有半导体的状态。
【 在 grampus (大雄) 的大作中提到: 】
: 氢是半导体吗？
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随便一搜就有:
美国卡内基研究所的地球物理学家霍古阿·马奥博士等人，于1989年将气态氢成功地制成具有导电性的黑色固态氢，这世界上属首例。马奥博士所做的实验是，将气态氢置于两块金刚石之间的密闭，在-196℃的极低温下，逐渐加压至250万个气压，气态氢逐渐从透明变成褐色，最终成为黑色的超微粒子化的固态氢。
在导电性方面，氢也从绝缘体逐渐转为半导体，进而成为导电体。固态氢的研究不仅可以为研究行星提供可贵的资料，而且在超导材料应用与火箭燃料研制等方面也有利用价值。
【 在 grampus (大雄) 的大作中提到: 】
: 别扯淡了
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是的，这是我的预见
【 在 grampus (大雄) 的大作中提到: 】
: 然后你就脑补成可以做沟道材料了？
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中国已经搞出来了氢金属，用来做很大爆炸当量的常规炸弹的，专门为台湾准备的。
打台湾不能用核弹，污染太大。这种固态氢的大炸弹很干净，可以随便往台湾扔。
【 在 grampus (大雄) 的大作中提到: 】
: 没想到你是材料奇才，赶紧做出来，大把的专利费在等着你，中国最年轻的两院院士非你莫属，小伙子，看好你呦。
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我也这样认为，干翻她没问题
【 在 grampus (大雄) 的大作中提到: 】
: 不用这么费劲，我看把你送到台北去就行，你肯定能搞定蔡英文
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