这是目前很好的一个方案，适用于高频场合，不过，SBD正向压降大，整流特性并不是很好。

【 在 seeflying 的大作中提到: 】
: igbt是双极载流子，固有的少子存储效应会恶化关断时间，对sic，3kv以内的优先选择单载流子器件，即sic金半二极管或
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