- 主题:Re:诚邀熟悉碳化硅基IGBT制备工艺的朋友
自己动手做过吗？
【 在 justmj 的大作中提到: 】
: 有这样的吗？。碳化硅做mos就可以了，还需要做igbt吗？
: 发自「今日水木 on JSN-AL00」
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FROM 124.200.184.*
IGBT 当然是MOSFET
你是搞学术的吧。了解市场吗
【 在 justmj 的大作中提到: 】
: 感觉您是纯外行啊，为啥要琢磨这个
: 发自「今日水木 on JSN-AL00」
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FROM 124.200.184.*
是的
【 在 s8241 的大作中提到: 】
: 碳化硅衬底上做IGBT？
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FROM 124.200.184.*
好吧，至少是FET。市场上缺这种IGBT
【 在 justmj 的大作中提到: 】
: 听说过做碳化硅mosfet，没听说过做碳化硅igbt。 igbt也不是mosfet。
: 发自「今日水木 on JSN-AL00」
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FROM 124.200.184.*
谢谢。其实 1.2KV能做好且量产就不错的
【 在 seeflying 的大作中提到: 】
: 这种是做10KV以上的。复旦的张清纯老师专长之一。
: sic材料和器件，厦门的瀚天天成公司的赵建辉专家。
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FROM 124.200.184.*
国家在投钱搞这一块。比亚迪，中电都在搞
【 在 chenche8 的大作中提到: 】
: SiC IGBT 确实比较性不大，而且很多问题要解决。SiC MOS做高压性能是很可以的了，虽然成熟还需要时间。但是SiC IGBT就更需要时间咯。
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FROM 124.200.184.*
感谢指教!非常受用。主要应用在电子电力行业，电动车，高压电网，高铁等！
【 在 EmiyaShirou 的大作中提到: 】
: 让我们先来对比一下硅基MOSFET和IGBT的差异，再看看材料本身的差异就知道SiC IGBT到底该应用到啥场合
: MOSFET: 高频率，流过不同电流时内阻变化不大
: IGBT: 高耐压，低频率，流过不同电流时导通压降变化不大
: ...................
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FROM 223.72.100.*