Re:诚邀熟悉碳化硅基IGBT制备工艺的朋友

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主题:Re:诚邀熟悉碳化硅基IGBT制备工艺的朋友
8楼|seeflying|2021-02-07 17:54:31|展开
这种是做10KV以上的。复旦的张清纯老师专长之一。
sic材料和器件，厦门的瀚天天成公司的赵建辉专家。

【在 georgewongzi 的大作中提到: 】
: 不知道有这样的朋友不，欢迎加入！站内联系。谢谢
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FROM 223.104.213.*
10楼|seeflying|2021-02-07 18:13:50|展开
igbt是双极载流子，固有的少子存储效应会恶化关断时间，对sic，3kv以内的优先选择单载流子器件，即sic金半二极管或者JFET，MOS。
从成本考虑，si igbt搭配sic 二极管组成模组也是不错的选择
sic很贵
【在 georgewongzi 的大作中提到: 】
: 谢谢。其实 1.2KV能做好且量产就不错的
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修改:seeflying FROM 112.65.12.*
FROM 223.104.213.*

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