- 主题:国内做的了5G射频芯片吗
能设计的国内有几家了，主要mems特色工艺，大规模稳定产能不好搞
【 在 ari 的大作中提到: 】
: FBAR现在是手机射频中最难搞的，比5G PA难度都大。
: 【 在 androidIOT 的大作中提到: 】
: : 射频芯片概念大了，FBAR还算简单了。
: ....................
- 来自「最水木 for iPhone Xs」
--
FROM 61.177.159.*
ADI9361是很牛。但是收发是另一回事了，难点在serdes，锁相环方面
【 在 androidIOT 的大作中提到: 】
: 拜托，注意一下比的范围。所以你只能看到RFFE么？
:
:
: ....................
- 来自「最水木 for iPhone Xs」
--
FROM 61.177.159.*
你有观点数据摆出来说，大家交流。我不明白你拿transciever和前端比的意义在哪，要说比难度也不在一个维度，怎么比。
我感觉不该回复你
【 在 androidIOT 的大作中提到: 】
: transceiver芯片供应商你只能看到ADI？而且难度只能看到serdes和PLL？
:
: 感觉我不该进这楼。
: ....................
- 来自「最水木 for iPhone Xs」
※ 修改:·cloud830610 于 Oct 25 17:52:18 2021 修改本文·[FROM: 111.193.232.*]
※ 来源:·最水木 客户端·[FROM: 111.193.232.*]
修改:cloud830610 FROM 111.193.232.*
FROM 111.193.232.*
所以叨叨半天，你比难度的根据是？
【 在 androidIOT 的大作中提到: 】
: 你要这么说的话，FBAR, PA, LNA, ETM, RFIC都不在一个维度，可你看看这楼，这可是在比射频芯片难度。所以你理解一下射频的组成。
: 要不再看看mmW的AiP，3Gbps@12bit位宽的 ADC？
:
: ...................
--
FROM 114.242.13.*
FBAR的难度在器件结构和工艺平台，本来就不是设计。不要自己做设计就觉得设计是最难的。
你也看看上下文，没人说RFIC不难
【 在 androidIOT 的大作中提到: 】
: 请多看看这楼的上下文。一群人把只能谁谁谁做得出来FBAR为难度评价标准，按这评价标准，那宽带高频多频低噪多通道高增益RFIC全球更没几家。
: 总之，从你的回复来看，起码你不是做RF设计的。
:
: ...................
--
修改:cloud830610 FROM 114.242.13.*
FROM 114.242.13.*
拿FBAR跟收发芯片比难度是关公战秦琼，但跟PA还真能比比。BAW/FBAR在射频前端里是难度至高点没疑问，除了技术难度外，另一个原因就是你说的成本，PA用GaAs是成熟工艺平台；BAW目前都是IDM，设计公司找不到代工厂，必须自己投资。
【 在 androidIOT 的大作中提到: 】
: 说得好像高频高线性高增益PA物料结构和工艺难度不大似的。另外，做IC的，脱离成本来比较难度的，都是耍流氓哦。
:
: - 来自「最水木 for iPhone X」
--
修改:cloud830610 FROM 114.242.13.*
FROM 114.242.13.*
建FAB厂的话，问问他们MEMS工艺平台是跟哪里合作开发的，国内能选择的平台不多，然后再试试找平台问他们的水平，这样比较直接；如果是海归团队自己带回来的完整方案，那存在知识产权问题的可能性很大。
【 在 wangjch 的大作中提到: 】
: 对 我要投的公司就是融资自己做FAB厂
--
FROM 114.242.13.*