耐压区掺杂浓度与宽度；
看看LDMOS的剖面结构就清楚了；


【 在 freethirteen (饿黄飞弹) 的大作中提到: 】
: poly si channel的mosfet 关闭状态fully depleted情况下Drain和Source能承受多大电压？是不是看PN结的depletion宽度（源漏掺杂浓度）？
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FROM 125.70.206.*