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主题:请教个mosfet的问题
楼主
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freethirteen
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2021-11-11 13:27:52
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只看此ID
poly si channel的mosfet 关闭状态fully depleted情况下Drain和Source能承受多大电压?是不是看PN结的depletion宽度(源漏掺杂浓度)?
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FROM 98.37.130.*
1楼
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ericking0
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2021-11-11 17:01:37
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只看此ID
耐压区掺杂浓度与宽度;
看看LDMOS的剖面结构就清楚了;
【 在 freethirteen (饿黄飞弹) 的大作中提到: 】
: poly si channel的mosfet 关闭状态fully depleted情况下Drain和Source能承受多大电压?是不是看PN结的depletion宽度(源漏掺杂浓度)?
--
FROM 125.70.206.*
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