高通那边状况如何
【 在 artech17 的大作中提到: 】
: 这是真的吗？摩尔定律要终结了啊
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FROM 175.166.175.*

高通找三桑了啊
没去找太极点


【 在 popsoft 的大作中提到: 】
: 高通那边状况如何
: 【 在 artech17 的大作中提到: 】
: : 这是真的吗？摩尔定律要终结了啊

- 来自「最水木 for iPhone 8」
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FROM 1.89.100.*

至今为止硅工艺里说到的隧穿效应还是栅电极与沟道和源漏电极间的，还没有真正涉及到源漏之间的隧穿效应。
【 在 yuhangtang 的大作中提到: 】
: 太牛了吧，量子隧穿我到现在也没搞明白
: 【 在 artech17 的大作中提到: 】
: : 所以连量子隧穿效应都不知道？考及格没？
: ...................
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FROM 223.72.63.*

沟道太短之后，散射机制失效，能带模型变化，因此迁移率模型和表面势模型不再适用，调制沟道电流的是栅极电场产生的势垒。有点像电子管中阴极射线的放大效应，不过量子隧穿的特点是并不要求载流子的能量完全高于势垒，只要接近就有跃迁过去的几率。
另外尺寸小了，一干长程晶体模型中的理论都失去作用了，量子势阱也会约束载流子分成多个能级，不同能级在沟道中的几率分布也不一样。总之就是会出来很多跟深亚微米不一样的特性。

由于量子跃迁是几率性的，所以如果器件中通过的电量不是足够多，器件特性就会出现明显的随机涨落。如果不是想利用这种量子效应进行计算那就必须在电路设计上想些办法消除它的影响。
【 在 JavaGuyHan 的大作中提到: 】
: 外行问的问题，深亚微米就有了，不就是漏电流么
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: FROM 113.208.119.*
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修改:Jarma FROM 223.104.39.*
FROM 223.104.39.*

3nm指的是沟道的长度
【 在 imCrosstalk 的大作中提到: 】
: 你觉得3nm就是沟道3nm吗？
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FROM 113.116.64.*