- 主题:请教 开关管 负电压问题
cmos工艺中，NMOS作为开关管，gate=0(GND)断开，1(vdd=5v)闭合，drain 电压0~5v之间，source是负载电阻
现在，控制gate信号 gnd 和 vdd不变，drain 要传递 -5 ~ 5v电压，这个怎么处理？
谢谢
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就一个NMOS，要传输整个电压范围，那最大的控制电压肯定得大于VDD，完整的解决方案就是做个charge pump，然后从charge pump 上出个current source连到gate，然后加个gate 到source的clamp去控制VGS。控制信号去开关这个current source。还得加个和clamp并联的电阻，关断NMOS就靠这个电阻。
【 在 hitpiano 的大作中提到: 】
: cmos工艺中，NMOS作为开关管，gate=0(GND)断开，1(vdd=5v)闭合，drain 电压0~5v之间，source是负载电阻
: 现在，控制gate信号 gnd 和 vdd不变，drain 要传递 -5 ~ 5v电压，这个怎么处理？
: 谢谢
来自 RVL-AL09
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FROM 103.74.124.*
要挡住负压，gate肯定需要是负压的；
速度要求不高的话，可以看看那些高压开关，gate电阻连到source自偏置，用电流源来
开启的做法；
速度要求高的话，负压电荷泵产生负压，也可以；
【 在 hitpiano (dreamer) 的大作中提到: 】
: cmos工艺中，NMOS作为开关管，gate=0(GND)断开，1(vdd=5v)闭合，drain 电压0~5v之间，source是负载电阻
: 现在，控制gate信号 gnd 和 vdd不变，drain 要传递 -5 ~ 5v电压，这个怎么处理？
: 谢谢
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