- 主题:请教一个电源芯片选择ldmos耐压值的问题
现在想做一个工作输入范围最大值是5.5v的，绝对最大限制是6v，可以选标称5v的ldmos做上下管吗（bv的典型值是11v，最小值是9v）？ 以前选择的话会留一些裕量，比如工作范围12v，绝对最大限制14v，我们会选18v（当然也只有12v，18v，24v可选）。因为担心输入为5.5v的时候开关switching时候的ringing会冲到7，8v，选5v的ldmos没那么robust。再往上只有8v的dmos了，当然更安全，但是单位面积电阻比5v的大了一倍还多点，感觉有些划不来，谢谢！
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FROM 58.48.73.*
遇到同样的问题，同样的困惑。工艺文档有没有关于过压、占空比、寿命方面的数据？
【 在 yuelushan 的大作中提到: 】
: 现在想做一个工作输入范围最大值是5.5v的，绝对最大限制是6v，可以选标称5v的ldmos做上下管吗（bv的典型值是11v，最小值是9v）？ 以前选择的话会留一些裕量，比如工作范围12v，绝对最大限制14v，我们会选18v（当然也只有12v，18v，24v可选）。因为担心输入为5.5v的时候开关switching时候的ringing会冲到7，8v，选5v的ldmos没那么robust。再往上只有8v的dmos了，当然更安全，但是单位面积电阻比5v的大了一倍还多点，感觉有些划不来，谢谢！
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FROM 123.118.7.*
这都是各家花费大把时间金钱试出来的东西
你觉得论坛上的会有人告诉你？
【 在 yuelushan (yuelushan) 的大作中提到: 】
: 现在想做一个工作输入范围最大值是5.5v的，绝对最大限制是6v，可以选标称5v的ldmos做上下管吗（bv的典型值是11v，最小值是9v）？ 以前选择的话会留一些裕量，比如工作范围12v，绝对最大限制14v，我们会选18v（当然也只有12v，18v，24v可选）。因为担心输入为5.5v的时候开关switching时候的ringing会冲到7，8v，选5v的ldmos没那么robust。再往上只有8v的dmos了，当然更安全，但是单位面积电阻比5v的大了一倍还多点，感觉有些划不来，谢谢！
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FROM 183.48.246.*
这问题怎么也得值一次tapeout 费用。。。别人告诉你能用，你敢用吗？回来htol死一片。
【 在 erfd 的大作中提到: 】
: 这都是各家花费大把时间金钱试出来的东西
: 你觉得论坛上的会有人告诉你？
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FROM 70.175.155.*
哪里有5V的LDMOS？
【 在 yuelushan 的大作中提到: 】
: 现在想做一个工作输入范围最大值是5.5v的，绝对最大限制是6v，可以选标称5v的ldmos做上下管吗（bv的典型值是11v，最小值是9v）？ 以前选择的话会留一些裕量，比如工作范围12v，绝对最大限制14v，我们会选18v（当然也只有12v，18v，24v可选）。因为担心输入为5.5v的时候开关switching时候的ringing会冲到7，8v，选5v的ldmos没那么robust。再往上只有8v的dmos了，当然更安全，但是单位面积电阻比5v的大了一倍还多点，感觉有些划不来，谢谢！
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FROM 101.206.167.*
还有4.2V的，专门针对锂电优化的LDMOS。
【 在 xiayan32001 的大作中提到: 】
: 哪里有5V的LDMOS？
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FROM 49.84.195.*
个人觉得，如果不是驱动电感，没事儿。5V器件可以扛得住类似的现象。如果驱动电感，那就要考虑下续流或者其它条件下电源的波动问题。
【 在 yuelushan 的大作中提到: 】
: 现在想做一个工作输入范围最大值是5.5v的，绝对最大限制是6v，可以选标称5v的ldmos做上下管吗（bv的典型值是11v，最小值是9v）？ 以前选择的话会留一些裕量，比如工作范围12v，绝对最大限制14v，我们会选18v（当然也只有12v，18v，24v可选）。因为担心输入为5.5v的时候开关switching时候的ringing会冲到7，8v，选5v的ldmos没那么robust。再往上只有8v的dmos了，当然更安全，但是单位面积电阻比5v的大了一倍还多点，感觉有些划不来，谢谢！
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FROM 49.84.195.*