刘恩科 半导体物理学？  
  
【 在 kailath (时空变换) 的大作中提到: 】
:  在哪能找到相关的资料？谢谢！
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FROM 111.196.245.*

我主要想知道载流子运动与器件噪声之间关系，尤其是在高频例如10~100GHz时，载流子如何运动的。半导体物理，固体物理等书籍，大多讲的稳态、低频的，高频、非稳态的情况，没见哪里讲过。
【 在 quene 的大作中提到: 】
: 随便一本半导体物理学的教科书都可以吧？
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FROM 114.249.198.*

好的，谢谢！
【 在 quene 的大作中提到: 】
: 你这个可能需要半导体器件物理之类的书了。从物理机制原理来说，高频低频没什么差别，不影响载流子运动机制；强场弱场倒是会影响。高低频的影响得通过定量计算/测量得出来，低频时载流子的存储效应导致的等效电容之类也许可以忽略，但高频则不能；某种载流子散射机制在低频时影响大，高频时反而可忽略等等。这种定量计算求解在交变电磁场下的载流子运动方程，确实书中很少见，可能真得自己求解。不过这些复杂影响最终会反映在器件的物理特性上。半导体器件物理之类的书可能会定性讲到。如果你是设计高频器件，那非常专业非常狭窄了，估计还得找行业内的设计手册之类的资料了。
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FROM 114.249.198.*

1. 频率效应的通常方法是求解交变信号（以向量形式表达）加载下的双极输运方程，非线性，非常难解，需要各种简化，简化后就没高频的事儿了，不过可能是理解噪声源物理机制的起点；
2. 噪声是一种非理想效应，具体到高频噪声肯定和你的器件形态有关系，多数是和界面缺陷有关，这个理论上来说只有通过实验研究才能获取有效信息，除非你搞的是非常成熟的器件，别人已经搞清楚了的；
3. 100GHz的话，已经到毫米波领域，输运方程是否还合适用载流子输运来表达很有疑问，载流子模型本质上是电子运动经典化的结果，即粒子化，以载流子密度、速度、自由程这些概念来表达输运，到这个频率是不是应该换模型了，解亥姆霍兹方程？这方面完全不懂，可以找点材料看看

以上纯属不负责任的臆测型建议，请不负责任地观看

【 在 kailath 的大作中提到: 】
: 我主要想知道载流子运动与器件噪声之间关系，尤其是在高频例如10~100GHz时，载流子如何运动的。半导体物理，固体物理等书籍，大多讲的稳态、低频的，高频、非稳态的情况，没见哪里讲过。
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FROM 59.49.34.*

看看载流子在半导体里的平均自由程和自由时间就行了。 100GHz不算高。普通得方程足够。当然其他寄生需要测试抽S参数自己建模。
【 在 ericking0 的大作中提到: 】
: 还能怎么动？载流子迁移率就那么一点，
: 载流子移动速度和电场的传播速度比起来几乎忽略不计；
: 真到了100G这种频率，只能看到电子在电场作用下很小幅震荡；
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FROM 114.249.197.*