让第一个指数发展阶段走不下去的，是热。双极性晶体管工作原理所致，时时刻刻都有电流流动，发热大。器件规模
到了一定程度，芯片热密度就太高了，无法维持下去。
让第二个指数发展阶段走不下去的，是短沟道效应。cmos只在开关瞬间有电流，发热大大减小，可以在原有器件规模基础上，支撑另一个指数发展阶段。但短沟道效应让开关作用无法持续下去，导致这个指数式发展结束。
让第三个指数发展阶段走不下去的，是半导体材料原子的尺寸。
三个阶段都以器件尺寸微细化为手段。摩尔65年就敏锐洞察出芯片成本、性能和器件规模或者说器件尺寸指数式发展之间的关系。指数式发展伴生着剧烈的矛盾运动，不能长期维系。
这导致了什么呢，分段实现。分段意味着什么呢？需要相当大程度上重新发明实现数字逻辑的制造工艺体系。因为，IC产业的进步高度以来加工工艺的持续进步，高度依赖器件微细化。
三个指数发展阶段的物理基础，是电荷。
那好，现在需要跳转到管理学领域，需要从系统工程视角再次审视这个问题了。这些东西留到下一课再讲。
好了，下课之前，布置一道思考题。你觉得IC这个产业系统，和之前的那些产业系统一样吗？如果不一样，请你梳理总结一下它的特点和本质规律，分析一下对于这样一个特殊系统，第四个指数发展阶段应该如何组织发展。
【 在 magicknight 的大作中提到: 】
: 你说了几个 IC 技术的名词
: 但你一直提的“物理规律”是指什么？
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修改:phoenixhills FROM 125.33.91.*
FROM 125.33.91.*