- 主题:请教第三代半导体GaN和SiC应用范围的差异
常见的说法：GaN的市场应用偏向高频小电力领域，集中在1000V以下；而SiC适用于1200V以上的高温大电力领域。
适用电压的不同，主要是基于GaN和SiC的热导率差异考虑吗？我是这么想的，高电压通常对应着高功率，材料的散热能力比较重要，而SiC热导率是GaN的2-3倍。
--
FROM 116.30.35.*
个人认为GaN用于小于2kw对单位功率成本不是很敏感的场合，SiC则更多是用于更大功率，对单位功率成本更敏感的场合
--
FROM 117.182.50.*
不是说 GaN-on-Si 的成本比 SiC 还低吗
【 在 shuimu0691 的大作中提到: 】
: 个人认为GaN用于小于2kw对单位功率成本不是很敏感的场合，SiC则更多是用于更大功率，对单位功率成本更敏感的场合
--
FROM 116.30.35.*
GaN目前最广泛的应用是AC-DC，手机充电器、笔记本适配器、台式机电源之类，600V耐压
--
FROM 218.13.181.*
基本物理属性的差异。热导只是一方面。就算热导不行，SiC在高温下照常工作，而GaN 高温下就无法工作，更高温下GaN 直接热分解了。SiC没这个问题，温度高点性能下降，但温度再高也不会分解。除了热学方面，电学属性也有关系。
【 在 NullPlace 的大作中提到: 】
: 常见的说法：GaN的市场应用偏向高频小电力领域，集中在1000V以下；而SiC适用于1200V以上的高温大电力领域。
: 适用电压的不同，主要是基于GaN和SiC的热导率差异考虑吗？我是这么想的，高电压通常对应着高功率，材料的散热能力比较重要，而SiC热导率是GaN的2-3倍。
--
FROM 218.16.203.*
谢谢，明白了。
顺便查了一下资料：
导通电阻RDS(on)随温度变化率，碳化硅MOSFET的温升系数远小于氮化硅晶体管以及硅MOSFET，在结温100°C时相差已经达到30%和50%。假设在25°C结温时碳化硅MOSFET和氮化镓晶体管的导通电阻相同，在同一个应用电路中意味着两者的导通损耗相同，但是当两者的结温升高到100°C时，碳化硅MOSFET的导通损耗只有氮化硅晶体管的70%，这对于那些环境要求苛刻，高温下也需要保持高效率的应用场景非常具有吸引力。
【 在 quene 的大作中提到: 】
: 基本物理属性的差异。热导只是一方面。就算热导不行，SiC在高温下照常工作，而GaN 高温下就无法工作，更高温下GaN 直接热分解了。SiC没这个问题，温度高点性能下降，但温度再高也不会分解。除了热学方面，电学属性也有关系。
--
FROM 116.30.35.*