大神们努力。赞！
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FROM 223.11.37.*

台积电最先进工艺3纳米，未来还能再走2纳米、1.5纳米两个节点。

大陆现在最先进工艺7纳米，受制于光刻机，走不下去了。如果能走下去，还有5、3、2、1.5四个节点。

美国已经在开发等效1纳米以下的新工艺。

策略上，要做好光刻机不能在短期内攻克的准备。

现有路线和美国的未来路线，同时跟，还是依次上，都存在一个产业发展停滞的问题。事关企业生死，硅工收入。现实迫切要求，找到第三条路线，重走90纳米到7纳米工艺，融合现有和未来两条路线，为光刻机研发和共有技术攻坚队伍成长，争取至少15年时间，同时还要芯片性能暴增，带来旺盛市场需求，破解现实困境，让我们的逆袭之路从容一点，舒坦一点。

各位老师，请问何解？




【 在 SmartIC 的大作中提到: 】
: 大神们努力。赞！
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修改:dragonfly112 FROM 218.249.201.*
FROM 218.249.201.*

这个大家都知道啊，产业路线图都给这些制程标记打引号的，给美国的未来路线制程打双引号。


【 在 tgfbeta 的大作中提到: 】
: 台积电那个数字不代表纳米
: 咱自己发明一套自主的表示法
: 现在数字上超越他们
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FROM 218.249.201.*

这有两方面的原因

第一个方面，就是我常说的，2011年以后明显更替了指数范式，集成电路进入了第三个指数阶段。以前用平面cmos栅宽代表的特征尺寸，不再适合表征该阶段基本器件——立体finfet的特征尺寸了。从2011年起，产业技术路线图的特征尺寸就带引号了。

第二个方面，主要原因是euv虽然已经找出来了，但光源功率始终不足，直到2019年才解决。次要原因是，英特尔是专门做数据处理芯片的，工艺改进在头部三家（英特尔、三星、台积电）里面策略最激进，钴互联、四次成像、euv光刻同时推进。这导致英特尔受euv实用化进展影响程度最深，只好一再推迟进入下一制程。


【 在 tgfbeta 的大作中提到: 】
: 可是intel这么贞洁的最后还是屈尊改名了
: 不再坚持10nm+++++++++了
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FROM 218.249.201.*