- 主题:请问，为什么纯si不导电，掺杂后导电？比如p
这种问题，建议还是找本书或者文献看看，视频有时候太过形象不一定准确
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FROM 222.129.39.*
具体术语记不清了，大概物理图像是，单晶硅是立方结构，通过与其他硅原子共享都处于核外8电子的稳定状态。
当si中掺杂p时，p的最外层四个电子用于和其他si原子形成共价键，处于稳定结构，剩余的一个核外电子就类似于自由电子。
配合掺杂3价元素（如硼），会有多出的空穴，就可以实现电荷在掺杂硅中的流动，形成电流。
所以，电流不是某个电子的行为，而是电荷的整体行为。
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FROM 222.129.39.*
【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 除了你在真正回答问题外，其他的几个回帖都在装神弄鬼跳大神。吹牛在行。
: 不过你没回答我为什么电子能通过纯si而电池电子不能？
形成电流的前提是有可移动的电荷（在半导体中包括电子和空穴），有了可移动电荷后，在电池提供的电压驱动下，电荷定向移动形成电流。
纯si里没有可移动的电荷，所以加电压也不会有电流。
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FROM 222.129.39.*
【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 看了个小视频，说纯si形成了八电子的外层电子，电池里的电子不能进入半导体，不能穿过半导体，所以没有电流。
: 掺杂后，p外层缺一个电子，电池里电子能进去，所以能导电。
: 奇怪，p在si的包围圈里，电子怎么进去？如果能进去，为什么进不去纯si？
: ...................
需要明确一点，不是电池的电子进去了，是电池的电压推动整体电荷流动，从而等效于电池电子进去了。
用能带理论或量子力学就有点太第一性了
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FROM 222.129.39.*
【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 我觉得很容易解释，你听听对不对。
: pn结的电阻变化因为外加电场推动自由载流子进入或者离开结区，使得结的厚度变化。把厚度变化简略掉，就简化为导电和绝缘，二极管的两种稳定状态。
: 我问的是为什么电场作用到硅上不导电而同样没有自由载流子的pn结导电性更好？
: ...................
结合我前面的回复理解，pn结中由于掺杂多出的的空穴和电子，就是自由载流子，只不过掺杂磷P的区域只有电子（负电荷），掺杂硼B的区域只有空穴（正电荷）。因此，当电压方向从掺硼区指向掺磷区时，掺磷区的电子流向掺硼区与空穴符合，即产生电流，此时的pn结就是导体。电压相反且不足够大，掺磷区的多余电子既不能流向掺硼区，也不能相反流动（因为没有空穴），所以没有电流，此时的pn结相当于绝缘体。
说回硅，常温常压下单晶硅里所有的电子都用来成键了，电子都被束缚在各自轨道上，是没有自由载流子的，所以即使有电场作用到硅上也是不导电的。
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FROM 222.129.42.*
【 在 buaajw 的大作中提到: 】
: 大神再帮忙解释下，半导体的放大作用吧，一直不明白这个的微观过程。而且这个放大还是受控的
不是大神，的确也不是学半导体的，对放大的概念记得不清了。我前面又回答了一个，你先看下是否有帮助。不行的话再讨论
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FROM 222.129.42.*
【 在 marion 的大作中提到: 】
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: 我怎么觉得这是我小学的时候看十万个为什么还是进口翻译版儿童百科全书时候就初步（唯象）理解的概念
哈哈哈，我是门外汉，大佬且看
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FROM 222.129.42.*