- 主题:请问，为什么纯si不导电，掺杂后导电？比如p
显然不多。
我们社会缺专业的人。我觉得北京有群众基础，如果大家都贡献真知灼见，网上自媒体、一知半解的百度知道就少点空间。
希望真懂的人回答我的问题。
为什么？
复合后的半导体导电性更好？
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 版上能回答你问题的人显然很多，但没人愿意花这个时间，在版上上一门课
【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
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FROM 106.120.233.*
如果一个人只能用概念和一本书回答问题，显然他不懂回答的重点和本质。10岁的小学生能看懂煤的形成、石油的形成，照你这样的专家会纠结错误概念不准确……。你还是水平不够，抓不住重点。
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 版上能回答你问题的人显然很多，但没人愿意花这个时间，在版上上一门课
【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
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FROM 106.120.233.*
复合后的半导体换句话描述：同样室温下，薄的相等浓度的p型半导体和n型半导体形成一定厚度的pn结，加1.5v电池后正向导电能力强于同样厚度的纯si吗？为什么？
给初三学生讲。si原子间形成8个电子，pn结内的原子也是八个电子因为多余的自由电子填到多余的空穴中了。
不要让他看书去。
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 复合后的半导体导电性更好，这是一个错误的问题！“复合后的半导体”是啥玩意？不存在这个专业术语提高半导体导电能力，可以掺入 ...
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FROM 106.121.10.*
我跟你理解一样。微观上电子随机运动，总体上受电场影响，宏观上表现为部分定向移动形成电流。虽然移动的数量少路程短但是总体上应该有位移。
【 在 ericking0 的大作中提到: 】
: 呃，所以建议你还是看看书啊？宏观上的电流流动和一个电子跑来跑去是完全不一样的；为啥一定要这个电子在导体里面跑一遭；为啥不 ...
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FROM 106.121.10.*
我觉得很容易解释，你听听对不对。
pn结的电阻变化因为外加电场推动自由载流子进入或者离开结区，使得结的厚度变化。把厚度变化简略掉，就简化为导电和绝缘，二极管的两种稳定状态。
我问的是为什么电场作用到硅上不导电而同样没有自由载流子的pn结导电性更好？
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 不同于单层半导体，pn结的电阻是不固定的，取决于你施加的电场方向和大小。
你不想看书这个问题就没那么容易解释了。如果你只...
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FROM 106.120.233.*
你说的这些我都懂。我不懂的是在pn结的街区自由载流子与空穴复合后，也成了共价键，跟si有什么不同，为什么还能继续导电？
【 在 Soliton6 的大作中提到: 】
: 结合我前面的回复理解，pn结中由于掺杂多出的的空穴和电子，就是自由载流子，只不过掺杂磷P的区域只有电子（负电荷），掺杂硼 ...
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FROM 106.121.10.*
感谢耐心回复。但是我还是不能明白。
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 你总是试图用单层半导体的电导图像来理解pn结，这是不可能搞明白的。
单层半导体加电场，电子作漂移运动，电导等于nqu，图...
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FROM 106.121.188.*
模电讲得很清楚了。但是，书上没有回答我的问题：常温下si内没有自由电子，外来电子在外加电场作用下很难穿过si，即使是很薄的s；但是，pn结在不加电时，结区自由电子和空穴复合后，同样没有自由电子自由载流子，但是外来电子在很小的外加电压下就很容易地进入结区穿过结区。在某些二极管中这个结区甚至比较厚。为什么都是没有自由载流子的物质，一个电子容易过一个电子几乎过不去？
【 在 chengx835 的大作中提到: 】
: 找一本模拟电子技术教材看看...
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FROM 219.236.122.*
。我知道第一种情况。我以为第二种情况下也是a挤进去，然后里面电子多一个，就得附近的一个挤一个，把靠近b的寄出去。当然这种挤不如有自由电子那种挤着容易。
你怎么解释结区没有自由电荷，但是能很容易导电？而纯si也没有自由电荷就不容易导电？
【 在 zuigao 的大作中提到: 】
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先给你解释单独的N为啥导电，电子用o表示
有自由电子： o => A- o o o o o o o o -B...
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FROM 219.236.122.*
你这句话我不能理解：只有外加电压大于内建电势差，电阻才小，这时候耗尽层没有了。
外加电压可以消除内建电势差，此时结区仍没有自由电子，耗尽层还在！那里。此时为什么电子能进入耗尽层而不能进入纯si？
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 你所说的pn结内没有载流子的电阻，就是加反向电压的情况，这时候电阻很大的。正向偏压情况下，如果电压小于内建电势差，电阻也...
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FROM 219.236.122.*