- 主题:请问，为什么纯si不导电，掺杂后导电？比如p
我也觉得能进入si但是不一定进入很深。
消除耗尽层才没了内建电厂没问题但是总和电场才是影响电子的东西，而外加电厂不能抵消内建电厂吗（同时保留耗尽层）？
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 电子不能进入纯硅是错误的概念！
耗尽层和内建电场是一体两面，消除了耗尽层才没了内建电场。
你可以这样理解，外加电场就像推...
--
FROM 106.121.224.*
中国大学就是个筛选器。老师自己都不明白自己讲的是什么，拿一堆概念名词而非概念实质去讲课，自己稀里糊涂。全靠学生自己悟，只能筛选牛人不能培养中等学生。
【 在 smezsc 的大作中提到: 】
:
薛定谔方程可以用来描述电子和空穴在PN结中的能级和波函数。在PN结中，电子和空穴受到结界势垒的作用，这会影响它们的能级...
--
FROM 106.121.224.*
你没看懂我的意思。内建电厂由pn结的电荷建立，外部电源加的电厂同样作用于pn结区，在这个区域的总电厂可以为0，自由电子感受到的是总和电厂。不是内建电厂自己。
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 外加电场就是抵消内建电场的，内建电场就是耗尽层的存在的结果，有耗尽层就有电场，没了耗尽层哪里还有内建电场？要知道掺杂半导...
--
FROM 106.121.224.*
你还是没有说区别。纯si两侧也有电子，为什么不能扩散进si？只能扩散进pn结？
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 你似乎还没有理解载流子的扩散运动。pn结的正向电流主要是扩散电流。由于界面存在巨大的浓度梯度，载流子本该向对面层扩散，但...
--
FROM 111.203.26.*
因为书上不讲那么细，所以不看书。
为什么要载流子浓度梯度？si外部的铝里面有很多自由电子，都可以进si，如果si可以进的话。
pn结的耗尽层外部也有载流子，就能进去。
始终没有人解释这俩有什么不同。
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 纯Si里面哪有载流子的浓度梯度？
: 你这样问太零碎了，看书两小时，胜过你在这里问两天。
:
--
FROM 103.72.113.*
你这说法我赞同。
就说纯si电阻率跟pn结结区耗尽层电阻率差不多。
【 在 zuigao 的大作中提到: 】
:
一个问题一个来：：： "外加电压可以消除内建电势差，此时结区仍没有自由电子，耗尽层还在！那里。此时为什么电子能进入耗尽...
--
FROM 106.121.70.*
知道。这个是工科常识。扩展一下，电子的速度和电子宏观上定向移动速度也不同。
【 在 lovelyroy 的大作中提到: 】
: 你知道电的速度和电子的速度是不同的吗。。。
【 在 guoqingjie (我是中国人我爱自己的祖国) 的大作...
--
FROM 106.121.70.*
共价键。一个si四个，共享外层电子。
【 在 mafama 的大作中提到: 】
:
八电子结构的不都是稀有气体吗
【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 看了个小视频，说纯si形...
--
FROM 106.121.70.*
电阻不可比，电阻率可比。电阻率是不是si略大更不导电？
【 在 zuigao 的大作中提到: 】
:
那你可以这么认为吧，纯si电阻率跟pn结结区耗尽层电阻率，差不多
但是耗尽层非常窄，随着正向电压增加，宽度进一步变窄...
--
FROM 106.121.225.*
好。不过我怀疑载流子最低的地方导电率略高于si，因为掺杂后造成缺陷，掺杂原子质子数不同可能对电子的吸引力不同。
【 在 flameblue 的大作中提到: 】
: 耗尽是相对于掺杂层来说的，耗尽层中载流子总浓度最低的地方等于纯硅，其它地方是更高
【 在 guoqingjie 的大作...
--
FROM 219.236.122.*