- 主题:请问，为什么纯si不导电，掺杂后导电？比如p
先给你解释单独的N为啥导电，电子用o表示
有自由电子： o => A- o o o o o o o o -B
无自由电子： o => A- -B
外面的电子，从A到B，并不是自己亲自到了B，第一个图所示，A和B中间有自由电子，o挤进去A后，就把临近B的一个自由电子挤出来了，相当于A到B有了电流
如果没有自由电子，就如第二个图，外来电子要从A到B，必须要穿过很长的路径，和第一个图相比，当然难度大多了
【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 看了个小视频，说纯si形成了八电子的外层电子，电池里的电子不能进入半导体，不能穿过半导体，所以没有电流。
: 掺杂后，p外层缺一个电子，电池里电子能进去，所以能导电。
: 奇怪，p在si的包围圈里，电子怎么进去？如果能进去，为什么进不去纯si？
: ...................
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一个问题一个来：：： "外加电压可以消除内建电势差，此时结区仍没有自由电子，耗尽层还在！那里。此时为什么电子能进入耗尽层而不能进入纯si？"
先回答这一个
耗尽层没有自由电子，电子确实可以进入耗尽层，因为耗尽层很窄，几十nm，穿过耗尽层后，就进入有自由电子的N/P层，自由流动了
你的问题“为什么电子不能进入纯si？", 答案是电子也可以进入纯si，但是纯si的长度很长啊，假设1mm，电子进入纯si后，得穿过1mm的区域，不像电子进入耗尽层，只需要穿越 10nm的长度
当然，穿越 10nm 的耗尽层 远比 1mm的纯si容易
【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 你这句话我不能理解：只有外加电压大于内建电势差，电阻才小，这时候耗尽层没有了。
: 外加电压可以消除内建电势差，此时结区仍没有自由电子，耗尽层还在！那里。此时为什么电子能进入耗尽层而不能进入纯si？
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FROM 183.220.91.*
那你可以这么认为吧，纯si电阻率跟pn结结区耗尽层电阻率，差不多
但是耗尽层非常窄，随着正向电压增加，宽度进一步变窄，电阻进一步变小
【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 你这说法我赞同。
: 就说纯si电阻率跟pn结结区耗尽层电阻率差不多。
: 一个问题一个来：：： "外加电压可以消除内建电势差，此时结区仍没有自由电子，耗尽层还在！那里。此时为什么电子能进入耗尽...
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