- 主题:国产运放和美国的比，差距还是这么大吗？
听说一个关键问题是国内缺乏用于高性能运放的CB（互补双极）工艺，导致一些有特殊要求，必须使用PNP—NPN对管的运放拓扑无法实现。CMOS工艺在模拟器件领域是不能完全取代BJT类工艺的，特别是CB工艺，例如带负载能力，BJT射随远强于MOS源随，电流模式电路的设计，BJT也有很大优势。这也是ADI等公司在高端模拟上垄断多年的重要原因。
--
FROM 114.85.176.*
高端的没用过不知道，普通的国产随便用
--
FROM 218.13.181.*
国内一直都没有锗硅biCMOS的产线，高性能的模拟射频芯片都做不出来。
现在眼看着要打仗了，某些上层人士才发觉到了这个问题，已经太晚了。
【 在 redbus 的大作中提到: 】
: 听说一个关键问题是国内缺乏用于高性能运放的CB（互补双极）工艺，导致一些有特殊要求，必须使用PNP—NPN对管的运放拓扑无法实现。CMOS工艺在模拟器件领域是不能完全取代BJT类工艺的，特别是CB工艺，例如带负载能力，BJT射随远强于MOS源随，电流模式电路的设计，BJT也有很大
: 攀啤Ｕ庖彩茿DI等公司在高端模拟上垄断多年的重要原因。
--
修改:lxku FROM 114.254.9.*
FROM 114.254.9.*
比如说哪些芯片？
【 在 lxku 的大作中提到: 】
: 国内一直都没有锗硅biCMOS的产线，高性能的模拟射频芯片都做不出来。现在眼看着要打仗了，某些上层人士才发觉到了这个问题 ...
--
FROM 116.169.7.*
太多了，多到让我宁愿去数星星
【 在 xiayan32001 的大作中提到: 】
: 比如说哪些芯片？
--
FROM 61.148.245.*
那还不赶紧上书美国商务部，赶紧禁运，都快打仗了，还不抓紧？tg屯货了就麻烦了。
【 在 lxku 的大作中提到: 】
: 太多了，多到让我宁愿去数星星
:
--
FROM 222.129.4.*
高端模拟射频都氮化镓了，还bicmos呢。
【 在 lxku 的大作中提到: 】
: 国内一直都没有锗硅biCMOS的产线，高性能的模拟射频芯片都做不出来。
: 现在眼看着要打仗了，某些上层人士才发觉到了这个问题，已经太晚了。
:
--
FROM 219.236.130.*
很多已经禁运了
【 在 HANNING 的大作中提到: 】
: 那还不赶紧上书美国商务部，赶紧禁运，都快打仗了，还不抓紧？tg屯货了就麻烦了。
--
FROM 114.254.0.*
不是一个方向，镓氮主要是做pa
【 在 Zigzig 的大作中提到: 】
: 高端模拟射频都氮化镓了，还bicmos呢。
--
FROM 114.254.0.*
高速，高精度的芯片一直在禁运的，无所谓，大多数有应对的办法了。
我知道一点点，当年我们要用一款高速ADC做原型，是禁运范围，开始想找人从国外搞几片回来。后来偶然从一个小代理那里得到消息，国内某所有pin2pin的货。拿了几片一测，功耗大点，其他ok。
【 在 lxku 的大作中提到: 】
: 很多已经禁运了
--
FROM 222.129.4.*