北京同步辐射装置光刻站建有2条光束线和相应的曝光设备，开展纳米和深度X光光刻研究，纳米光刻是以中科院微电子所谓主要研究单位，深度光刻由高能所完成，主要进行LIGA技术的研究与应用，同时还开展MEMS的其它研究。
光刻站同步辐射光源由弯铁引出，纳米光刻和深度LIGA光刻公用同一个前端区，通过一个反射镜实现纳米光刻和深度光刻的切换，曝光实验要分时进行。
光刻束线位于BEPC的第三区，有第一块弯铁引出，光束线为3B1A和3B1B，3B1A为LIGA技术深度光刻束线，3B1B为纳米光刻束线。
二、 光源性能及参数
3B1A束线（LIGA束线）由弯铁引出，弯铁光源经过300微米的铍窗照射在样品上，样品台扫描，形成扫描的均匀光斑，用于LIGA的深度光刻。
波长范围：2-10Kev，弯铁引出，经过300微米厚铍窗。
光斑尺寸：50*50毫米，水平由狭缝限制，垂直为样品台扫描。
LIGA光刻深度：最大光刻深度1.5毫米，高宽比80。
3B1B束线的同步辐射光源经过一个镀铬反射镜反射，然后通过一个10微米厚的铍膜照射在样品上，反射镜在垂直方向扫描，在样品处形成一个均匀扫描光斑，用于纳米同步辐射光刻。
波长范围：0.5-1Kev，反射镜和吸收片后。
光斑尺寸：40*40毫米，垂直光斑由反射镜扫描获得。
光刻分辨率：最小线宽70nm。
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