- 主题:小白请教图中那区域为什么叫"饱和区"
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FROM 112.0.249.*
Vds过大,沟道截断了,电子直接被吸走了
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FROM 218.88.36.*
没明白
【 在 combuster (不空智) 的大作中提到: 】
: Vds过大,沟道截断了,电子直接被吸走了
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FROM 112.0.249.*
在这个区域,Ib增加,Ic不变,故称为饱和。
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FROM 58.27.65.*
图画错了
【 在 x2303612 (x2303612) 的大作中提到: 】
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FROM 180.165.83.*
这个是三极管的定义。饱和区大致对应MOS的线性区。
【 在 x2303612 的大作中提到: 】
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FROM 49.72.167.*
三极管放大是电流放大。以下只讨论直流静态工作点情况:
构造一个最简单的三极管共E输出放大电路,没有共射反馈电阻Re,设C极接电压源Uc,那么在C极负载电阻Rc上产生的压降URc + 三极管管压降Uce = Uc。
此电路工作在放大区,调整Ib的大小,随着Ib的增大Ic也越来越大,从而URc也越来越大,在Uc不变的情况下,Uce越来越小,这个过程中Ic存在着两种变化方向:1是随着Ib增大Ic要增大(因为是放大电路); 2是随着Uce不断减小到Uces以下之后,进入所附图的左侧区域,随着Uce减小Ic也减小。
在这个时候,两个相反的作用使得再增大Ib,对Ic的影响几乎没有了,Ic处于稳定状态,不随Ib增大而增大。故名“饱和区”。
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FROM 220.196.194.*
我觉得好像饱和区和线性区给弄反了?不过我毕业20多年了,也忘光了。
【 在 x2303612 的大作中提到: 】
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FROM 122.193.118.*
随便取的一个名字而已,有些道理,但是不要深究。
这些道理就是:
在这个区域,电学行为看起来,源漏ds两端的电压再增加,流过这两端的电流ID再也不增加了,表现得更像电流源。就像饱和了一样,投入再多的电压,也产出不了电流了,就和吃饱了一样。
按现有器件模型,沟道夹断了,不再变化了,通过沟道的电子速度和数量都被限制住了, j = nqv,所以电流也不怎么变了。当然由于实际不这么理想,实际这个区域还不能完全表现得像电流源。
【 在 x2303612 的大作中提到: 】
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FROM 220.197.221.*
相当于吃饭过程中,饱腹感迅速增加的过程中,器件还没有稳定的放大作用,不能专注地干力气活
吃饱之后,状态稳定下来,可以稳定输出体力了
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FROM 120.244.22.*