我想问浮栅工艺与eFlash工艺的差别，如良率，
一般Fabless映射到SoC制造时是浮栅工艺，
现在看到eFlash工艺出来，
eFlash从字面上看不是做flash的么？
它也有能力完成SoC（涵盖逻辑和片上存储）制造？
如果的确可以，它的良率，功耗方面如何？
我最近查阅中芯国际的制程，
发现一些资料，从下文看，似乎是涵盖了片上逻辑和存储，
若有不对，请指教！
“
based on SMIC's 55nm eFlash process, ACTT successfully launched a low-power IoT platform that provides a power saving as well as cost-effective solution to global customers.
”
【 在 Suporbb 的大作中提到: 】
: 你到底在问什么？好歹先做些功课再来问
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