引文中所说的“Charge-Trap eFLASH”技术,
与floating gate工艺不一样。
这个Charge-Trap eFlash技术的良率和功耗,
相对于传统的floating gate工艺如何呢?
“
从嵌入式存储的原理上看,现在主流的工艺是Floating Gate 。这种传统的硅工艺因为应用历史比较长,且不涉及到材料的改变,因此大家对其都比较了解。为此这些年来,它一直都是嵌入式存储厂商的最爱。但随着大家对功耗、性能、成本和可靠性要求的渐增,这种相对传统的工艺有其局限性。为此业界探索了Charge-Trap eFLASH这种特殊工艺产品,华力的SONOS嵌入式闪存技术就是当中的一个先行者。
“
【 在 Suporbb 的大作中提到: 】
: 你到底在问什么?好歹先做些功课再来问
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