如果这部分幸运的电子进入到pmos的栅氧中呢？是不是会升高阈值
【 在 erfd 的大作中提到: 】
: 这个是什么原理？
: 按我的理解应该是有部分“幸运”电子进入场氧，导致场氧变薄，vt变低，更加耗电才对。  
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--来自微水木3.5.1
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FROM 112.65.61.*