igbt是双极载流子，固有的少子存储效应会恶化关断时间，对sic，3kv以内的优先选择单载流子器件，即sic金半二极管或者JFET，MOS。
从成本考虑，si igbt搭配sic 二极管组成模组也是不错的选择
sic很贵
【 在 georgewongzi 的大作中提到: 】
: 谢谢。其实 1.2KV能做好且量产就不错的
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