让我们先来对比一下硅基MOSFET和IGBT的差异，再看看材料本身的差异就知道SiC IGBT到底该应用到啥场合
MOSFET: 高频率，流过不同电流时内阻变化不大
IGBT: 高耐压，低频率，流过不同电流时导通压降变化不大
所以IGBT相比于MOS适用于高压大电流低频应用
那么同理SiC，目前SiC MOSFET适合做1200V到3300V器件，那么SiC IGBT应该是适合做3300V及以上的耐压，且大电流的场合，其应用应该是替代晶闸管，用于电力系统上。
楼主你是想应用到啥系统？
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