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中国MCU行业技术分析——MCU工艺制程概述

从制程节点看，全球MCU制造目前主要是40nm及以上的成熟制程工艺节点，先进车用MCU已采用28nm制程。目前MCU主要集中于40nm及以上的成熟制程，一方面系MCU本身对算力要求有限，暂不需要40nm及以下制程；另一方面，MCU内置的嵌入式存储自身制程也限制MCU制程的提升。

存储模块的解决方案

eFlash工艺（嵌入式闪存）：是MCU中必不可少的组成部分，用来存储代码和使用过程中产生的数据，当前制造MCU能达到的制程节点很大一部分原因是受限于eFlash制程工艺。

eNVM工艺（嵌入式存储器）：是在逻辑工艺平台基础上开发的特殊工艺，通过这种工艺生产出带有非挥发存储器模块的芯片。对于不同的eNVM工艺，需要增加不同层数的光罩，因此它的工艺成本相比于逻辑工艺有一定增加。

SiP解决方案（片外存储器）：通过SiP方式把一颗NOR闪存芯片和逻辑芯片封装在一起，代码和数据存储在独立、外挂的NOR闪存芯片上。

解决方案优势探讨

目前，全球多数MCU厂商主要使用eNVM方案。但SiP解决方案因为其设计简单，设计周期短，从而能降低厂商设计成本，加快上市速度，因此对于新进入的公司很有吸引力。但SiP解决方案无法满足特定应用场景的所有要求，综合考虑到成本、功耗、速度安全性、稳定性和可靠性要求，很多应用场景下，使用eNVM是更好的解决方案。
【 在 yyzhangyy 的大作中提到: 】
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: MCU的工艺还没有到2x/1x nm，工业级比较典型的先进工艺是40nm。兆易以前的主要产品都是logic MCU + SiP flash，现在大部分切换到eflash工艺了，也做到了国产通用MCU第一，国内市场全球厂商排名前三/四的位置。具体原因请其他专家帮忙解答。

#发自zSMTH@SM-G9910
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