简单啊，美国水面以下，有50倍IBM研发能力的强大创新引擎，但这个引擎只是创新链的一个环节，不等同于创新链的全部，它只负责提供整体技术理念。

创新链上另一个关键环节是SEMATECH，这是个专门负责把整体技术理念转化为制造技术的环节。SEMATECH本来是为整个产业服务的，但在2015年被IBM体系吸收了，具体而言，是被IBM公司所在地的纽约理工学院吸收了，成了它的一个系。

这样呢，IBM方面还可以享受这种转化，但英特尔就享受不到，创新链断链了。但三星和IBM是商业联盟，IBM为它提供全套工艺的验证工作。IBM每隔两三年，就声称走通7纳米、5纳米、3纳米、3纳米等等工艺，就是这种工作的成果。所以三星可以一路走下去。

台积电是另外一种情况。美国这个强大创新引擎验证核心创新理念之初，“也就是验证finfet开关器件的概念可行，并比末代平面cmos开关器件的理论性能更好”的这个时候，台积电的创始人张忠谋，（他在德仪干过二把手还是三把手，而德仪是这个创新链头部环节的资助方），他懂美国这套创新链，所以立刻就把finfet的发明人胡正明请到台积电担任了4年的技术副总裁。美国政府不仅没有阻拦，还在胡正明回到美国后，授予其国家最高科技奖。台积电的22纳米以下整体技术理念，以及工业适配方案，就是这么来的。2001年到2003年拿到手的，比三星2014年才到手，要早得多，隐蔽得多。到了后摩尔时代的整体技术理念，还是华人开辟的，斯坦福的黄汉森，和他的印度同事共同提出了n3xt三维异构核心技术方案，也被台积电聘为技术副总，这套技术也被台积电搞到手了。

2015年之后，就剩下英三台三家最先进工艺的制造厂了，如上所述，英特尔就是这么被卡住落后的。但你不能说台积电技术比美国强了，超过美国了，它的全套技术思路都是美国半导体创新联合体提供的。

当然了，2015年之后具体的技术情况稍微复杂一点，包括英特尔对困难估计不足，提出的方案过于严苛；EUV光源迟迟达不到要求，导致英特尔只好10纳米++++++下去，以及台积电、三星采取了比较灵活的策略。但归根到底，英特尔缺失了关键的从理念向制造技术转化的环节，三星反而通过IBM没有缺失这个环节。

现在，美国国防部搞microelectronics commons，美国商务部搞国家制造创新中心，重新填补上了这个关键环节。英特尔也和IBM建立了合作关系，其idm 2.0战略由IBM提供战略支持。

美国芯片法500多亿的补贴，不可能收回全球半导体制造业。它是为了确保美国军用微电子能够在境内至少有一家先进工艺的半导体制造厂，确保美军能够利用最先进的半导体技术能力。为什么只逼着台积电在美国建厂？台积电的工艺最先进，搞定他就不用考虑三星了。你可能还会问，军用芯片不是90纳米就够用了吗？现在不是这样了，美国军方从差异化竞争方面考虑，要求不同工艺能够通过2.5维异构集成了，在同一块管芯上，同时实现65纳米军用工艺和最先进的商用半导体工艺。

另外，半导体产业链、供应链已经高度全球化，不可能脱钩断链。美国之所以搞芯片四方联盟，是为了搞乱局面，吸引我方注意力，示形隐真，为其后开辟后摩尔时代打掩护，担心你学会它的那一套。等到2031年后，吸取教训，把全部产业链、供应链都放在美国国内，彻底卡死竞争国脖子。那时候，你没有自己创新联合体和完整创新链，就叫天天不应叫地地不灵。



【 在 a9udn9u 的大作中提到: 】
: 为啥逼台积电去美国开厂？
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FROM 125.33.81.*