电子不能进入纯硅是错误的概念！
耗尽层和内建电场是一体两面，消除了耗尽层才没了内建电场。
你可以这样理解，外加电场就像推土机从河道（耗尽层）两岸把泥土（载流子）往河里推，河道填满了，就形成了一条路。

【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 你这句话我不能理解：只有外加电压大于内建电势差，电阻才小，这时候耗尽层没有了。
: 外加电压可以消除内建电势差，此时结区仍没有自由电子，耗尽层还在！那里。此时为什么电子能进入耗尽层而不能进入纯si？
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