外加电场就是抵消内建电场的，内建电场就是耗尽层的存在的结果，有耗尽层就有电场，没了耗尽层哪里还有内建电场？要知道掺杂半导体本身也是电中性的，掺杂多出来的载流子，就有多出来的离子，数量相等电荷相反。载流子耗尽了，就有了净电荷（离子），必然就有电场。

【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 我也觉得能进入si但是不一定进入很深。
: 消除耗尽层才没了内建电厂没问题但是总和电场才是影响电子的东西，而外加电厂不能抵消内建电厂吗（同时保留耗尽层）？
: 耗尽层和内建电场是一体两面，消除了耗尽层才没了内建电场。
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