一个问题一个来：：： "外加电压可以消除内建电势差，此时结区仍没有自由电子，耗尽层还在！那里。此时为什么电子能进入耗尽层而不能进入纯si？"
先回答这一个
耗尽层没有自由电子，电子确实可以进入耗尽层，因为耗尽层很窄，几十nm，穿过耗尽层后，就进入有自由电子的N/P层，自由流动了
你的问题“为什么电子不能进入纯si？", 答案是电子也可以进入纯si，但是纯si的长度很长啊，假设1mm，电子进入纯si后，得穿过1mm的区域，不像电子进入耗尽层，只需要穿越 10nm的长度
当然，穿越 10nm 的耗尽层 远比 1mm的纯si容易
【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 你这句话我不能理解：只有外加电压大于内建电势差，电阻才小，这时候耗尽层没有了。
: 外加电压可以消除内建电势差，此时结区仍没有自由电子，耗尽层还在！那里。此时为什么电子能进入耗尽层而不能进入纯si？
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