那你可以这么认为吧，纯si电阻率跟pn结结区耗尽层电阻率，差不多

但是耗尽层非常窄，随着正向电压增加，宽度进一步变窄，电阻进一步变小



【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 你这说法我赞同。
: 就说纯si电阻率跟pn结结区耗尽层电阻率差不多。
: 一个问题一个来：：： "外加电压可以消除内建电势差，此时结区仍没有自由电子，耗尽层还在！那里。此时为什么电子能进入耗尽...
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