耗尽是相对于掺杂层来说的，耗尽层中载流子总浓度最低的地方等于纯硅，其它地方是更高

【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 电阻不可比，电阻率可比。电阻率是不是si略大更不导电？
: 那你可以这么认为吧，纯si电阻率跟pn结结区耗尽层电阻率，差不多
: 但是耗尽层非常窄，随着正向电压增加，宽度进一步变窄...
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