对于载流子密度相同的情况，由于电离杂质对载流子的散射作用，掺杂半导体的电阻会比纯硅更大。
不过没必要对pn结对讨论这个，耗尽层里只是刚好界面那个位置载流子浓度跟纯硅一样，整个耗尽层平均浓度是大得多的。
把pn结当做电阻来讨论，有点跑偏了。更应该关心的是它的势垒高度，耗尽层宽度，最大电场，结电容等等。

【 在 guoqingjie 的大作中提到: 】
: 好。不过我怀疑载流子最低的地方导电率略高于si，因为掺杂后造成缺陷，掺杂原子质子数不同可能对电子的吸引力不同。
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