【 在 CQJN 的大作中提到: 】
: 半导体芯片的特点，就是新芯片的工艺水平和性能水平，要超过旧芯片，不能像两弹一星那样，氢弹的概念钻研透了，不需要考虑超过核弹的工艺水平。而集成电路不一样，一方面你不像两弹一星那样有时间拿出整体方案，产业后继发展迫在眉睫，几十万从业人口等着买房吃饭，数千家企业面临生死存亡；另一方面解决了核心问题，还需要持续优化芯片实现的整体理念。比如，你cmos集成电路指数发展走到头了，就需要重新发明集成电路，但时间有限，没有条件让你像以前那样，都想透了再分配任务。怎么办呢？先解决最核心的基本器件问题，darpa大喊一声，这个问题怎么解决，胡正明揭榜挂帅提出了finfet和fdsoi两套方案。是不是直接把这个器件用到芯片中去就行了？那当然不行，你的finfet芯片需要超过最后一代平面cmos芯片，甚至需要超过2008年的异构平面cmos芯片的性能水平和工艺水平，那当然需要有人从实现理念上做优化，然后才能转变成现实技术，继而转变成现实工艺。。。，最后才是规模量产。不要总是盯着市场需求和军用需求，而不抓住芯片本身的发展特点。一面说芯片和两弹一星不同，一方面只做和两弹一星同样的概念研究，而没有其他后继的实现思路的优化。缺失一个关键的环节，你的工艺水平和芯片性能怎么可能上得来呢？

先确认一下，你是妹子吗？
--
FROM 114.253.41.*