mos管是平方律器件，理论上电源上的ripple经过射频通路，因为器件的非线性特性，都会产生IM，适当的电路设计，可以降低影响，至于你说的GND，这个其实没那么差劲，沉底隔离度其实还挺高的。很多时候芯片回来测试，最后发现ripple都是通过电源耦合进来的，而不是GND
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