是不是把NAND写坏了就变成ddr了，感觉DDR引脚上多了个电容

【 在 lambdago 的大作中提到: 】
: NAND特性决定了，读写擦除延迟都很大，不能原地写，还要算法做覆盖均衡。
: 结果导致延迟和抖动都太大了，当前CPU 大部分访问内存的延迟基本可以被指令缓存所cover，
: 单如果是NAND 做内存，那得多大的指令缓存，导致流水线的刷新开销非常大。
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