光刻胶是芯片代工领域中的“黄金食粮”，是光刻机对硅膜片表面进行曝光制程的必需品。特别是ArF光刻胶，其在芯片制造过程中的重要性不言而喻。一直以来，全球的ArF光刻胶市场多被美、日两国垄断，而我国这家光刻胶巨头的出现，彻底打破了这一局面。

我是柏柏说科技，资深半导体科技爱好者。本期带大家了解的是：国产光刻胶巨头“南大光电”获得首批来自于国外的ArF光刻胶订单。




老规矩，开门见山。2021年7月2日，南大光电在其互动平台上表示，公司旗下的ArF光刻胶产品获得来自国外客户的小批量订单。有关于客户的更多信息，南大光电并未透露更多信息。

值得一提的是，南大光电出口的这批ArF光刻胶是被用于90纳米到7纳米甚至7纳米以下芯片制程的关键原料。2021年5月份，南大光电表示，子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶在55纳米技术节点上，获得了认证突破。宁波南大光电子公司的55纳米ArF光刻胶已具备金属布线层的工艺要求。




补充一点：早在2020年12月，宁波南大光电子公司的ArF光刻胶便获得了一家储存芯片制造企业的平台认证。回到南大光电ArF光刻胶出口这件事情上，南大光电获首批ArF光刻胶订单，对于国产半导体有何意义呢？

首先我们要知道ArF光刻胶对芯片制程的重要性以及ArF光刻胶在世界光刻胶市场中的地位。目前半导体市场主要使用的光刻胶分为g线、i线、KrF、ArF四种。想要满足更高集成度的集成电路制造，离不开更短波长的光源，体现在设备上便是更先进的光刻机。




作为光刻机芯片生产的关键原料，光刻胶也会随着光刻机的改进而不断升级。这是因为想要生产出高制程的芯片，感光材料的分辨率需要根据电路线宽的缩小而不断提高。因此，根据光刻胶所适应的不同波长可以得出： G 线(436nm)→I 线(365nm)→KrF(248nm)→ ArF(193nm)→F2(157nm)→EUV（<13·5nm）。即ArF光刻胶的制造难度是最高的。

毫不夸张地说，如果没有适用于高端芯片制造的ArF光刻胶，芯片制造将无法开展。




作用于芯片先进制程的ArF光刻胶，被美、日半导体垄断，我国关于ArF的自给率不足5%，g线/i线的自给率不足20%。好在南大光电成功突破国外技术壁垒，生产出符合高端芯片制程的ArF光刻胶。技术壁垒突破了，市场壁垒也很重要。倘若一家企业没有营收，很难保证企业本身的正常运转。

尽管我国是全球最大的半导体原料需求国，但目前我国能够生产高端制程芯片的厂商却不多。不要忘了，ArF光刻胶主要是用于生产高端制程芯片的。因此，南大光电获得国外首批ArF光刻胶订单，对于南大光电本身的业务营收来说，是一个良好的开端，营收保住了，企业也就保住了。




南大光电突破美国、日本市场壁垒，有助于提高我国在世界半导体领域中的地位。值得一提的是：南大光电的光刻胶业务，其技术主导权是掌握在自己手中的。这次南大光电获得国外客户的订单，也证明了南大光电的光刻胶质量，是符合生产标准的。

先是技术，后是市场，南大光电不断突破美日光刻胶壁垒，有助于我国半导体行业的稳定、可持续发展。能够确保我们在ArF光刻胶业务上，不会被国外卡住。日本光刻胶巨头“信越化学”，限制自家ArF光刻胶向我国出口，便是一个很好的例子。




此外，南大光电突破美、日市场壁垒，有助于提高国外用户对中国光刻胶产品的印象，有利于我们更好地打开国外市场。祝愿国产半导体厂商能够愈发强大，期待南大光电更多好消息的到来。
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