光电芯片技术突破
近日，我国科学家在光电芯片制造领域取得重大突破，相关成果登上了《自然》杂志。南京大学科研团队利用飞秒激光在铌酸锂晶体内部实现三维结构的直写与擦除，这一技术突破了传统飞秒激光的光衍射极限，将光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸从微米级缩小至纳米级，极大地提高了加工精度。未来，这项技术有望推动光电芯片制造的新发展，为光电调制器、声学滤波器等关键光电器件芯片的制备带来革命性变化，进而促进5G/6G通讯、光计算以及人工智能等领域的创新。
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