FinFET当然是基础研究，最早的文献出处：

X. Huang, W-C. Lee, C. Kuo, D. Hisamoto, L. Chang, J. Kedzierski, E. Anderson, H. Takeuchi, Y-K. Choi, K. Asano, V. Subramanian, T-J. King, J. Bokor,  C. Hu, “Sub 50-nm FinFET: PMOS,” IEDM Technical Digest, Washington, DC, pp. 67-70, December 5-8, 1999.

一作应该是他的博士生，中国人

【 在 dragonfly112 的大作中提到: 】
: 但也不是应用研究。这是啥研究？
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90年代提出的新概念器件多了去了，Intel等公司给高校投了很多钱，开发碳纳米管晶体管、纳米线晶体管、GaAs晶体管，最后都没有走向实用，但并不能否定这些基础研究的意义。

FinFET的发明，也是基础研究投入的结果，也和其他新概念一样，前途未定，并不能一眼看出它能够“解决产业遭遇的重大瓶颈问题”。后来真的系统应用了，也是台积电等公司后续不断推进的结果。


【 在 dragonfly112 的大作中提到: 】
: 晶体管发明不是基础研究，属于第四类研究，推动产业升级的颠覆性研究。发明晶体管是为了代替电子管，解决跨洋远距离通信噪声太大的问题。
: 是不是第四类研究，和转不转化没有关系。关键在于是不是为了解决产业发展遇到的瓶颈问题。
: 1999年，胡在实验室验证了finfet，就证明了这个器件原型能够解决英特尔1995年提出的平面cmos将在2010年前后失效没有后继器件，这一产业遭遇的重大瓶颈问题。这不是什么马后炮，这是梅搞的新型系统工程，由芯片核心器件开始，渐次生成整体方案。
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