各位高知，600纳米的光刻机，怎么做出半周期200纳米、周期400纳米的结构？

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FROM 114.220.81.*

我觉得不行。图1是掩膜版，线条宽度600微米，图2是同一块掩膜版，向右错位200微米，图3是同一块掩膜版，向左错位200微米。通过套刻，可以得到图3到图7的结构，任何一种结构都有5种不同深度，但我们需要的是最后面那个图（图8）那样的2种不同深度。



【 在 imCrosstalk 的大作中提到: 】
: 你这图形简单，双曝光技术解决























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修改:snowfields FROM 58.208.133.*
FROM 58.208.133.*