这个是官方报道

集成电路成果再登《自然》主刊！复旦团队研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，刷新半导体电荷存储速度
作者：王越 殷梦昊摄影： 视频： 来源：融媒体中心发布时间：2025-04-17

复旦集成电路领域再获关键突破。复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型，在理论上预测了超注入现象，打破了现有存储速度的理论极限，研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，其擦写速度可提升至亚1纳秒（400皮秒），相当于每秒可执行25亿次操作，是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术。


【 在 bajie0001 的大作中提到: 】
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: 问：
: 中美竞争的一个重要方面是算力竞争，为此美国又开始限制英伟达H20等高端芯片对华出口，好消息是近日我国研发出400皮秒闪存，读写速率有了指数级提升，那么请问，h10,h20这类芯片与美国最高端的芯片技术指标和实际效能有多大差距？  而我国在存取和传导技术以及算法优化方面的提升，部分弥补了核心芯片的暂时落后，在综合算力方面，与美国的差距并不大？
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