2024年版本国际器件与系统路线图（IRDS）里面的more moore部分，已经将3D堆叠CFET由2031年推迟到2035年了。摩尔定律是指，以微缩尺寸方式按照指数路径提高芯片内的器件密度。后摩尔阶段，将以三维堆叠管芯方式按照指数路径提高芯片内的器件密度。看来，引入隧穿器件和自旋器件是真的困难重重。如果北大能将碳管加快应用，我们就能超车没底。
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修改:phoenixhills FROM 221.216.116.*
FROM 114.254.1.*