线宽变小，集成度提升后，局部高温和工艺缺陷决定了布线老化会加速。以前所谓老化剔除前期失效在时间上也是一个道理，过分老化的产品会在使用寿命上大打折扣。只不过线条变窄和温度更高，决定了5nn以下产品的老化时间本身就应该减少，甚至老化本身已经是不适应用于高集成度纳米级产品。老化的发展源于军用晶体管的失效分析，现在3nm我认为主要厂商已经发现老化的问题了，只是没有把老化失效和使用寿命的结论告诉用户。
【 在 keler 的大作中提到: 】
: 5nm老化是什么情况，为啥
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