似乎是这样：
（1）N/P同时参杂，按照电离结果补偿，看最后是N还是P
（2）如果恰好电离效果一样，还是高阻的；
（3）这种参杂会带来额外散射中心，电子或空穴得迁移率，寿命啥的，比只参杂同等效浓度的要低。

【 在 md2006 的大作中提到: 】
: 对本证半导体晶体硅来讲，先N后P依次掺杂，结果会怎样？如先掺杂磷再掺杂硼，最终的表现如何？
: ——多出来的一个电子与多出来的一个空穴会归位中和掉吗？
: 把磷和硼换做磷化硼（BP）进行掺杂呢？
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FROM 210.72.148.*