不是我的解释哦
但是那个解释在SiC的功率器件中也有同样的方法使用
先讲韩国超导原理
严伯钧的解释是
首先形成铅的磷酸盐结晶，然后用铜离子置换
晶格中的铅离子，因为铜离子小，所以晶格收缩形
变，晶格扭曲产生巨大的内部应力，应力就相当于
以前室温超导体实验需要的巨大外压，宏观就是样品物质体积收缩（这个可能是超导制备关键)，这个内压压迫两个电子与晶格相互作用交换声子，产生吸引力，电子被绑在一起形成库珀对，就是两个
费米子在一起形成一个玻色子，晶格内玻色子在爱
因斯坦凝聚中形成超流（超导需要超低温，超压条
件，都是因为需要微观结构内形成超流才能超
导），超流无阻力，因为玻色子带电，所以宏观出现超导现象。
下面是我对于芯片工艺中的相似性做比较
在碳化硅器件的工艺实现中
在A元素形成的晶格上面铺一层B元素
假设B元素的晶格间距小于A
那么开始的几层，B元素会和A的晶格对齐
由于B的晶格间距小，B的晶格等于被应力拉扯开
这样载流子在B的晶格里可以更加自由的流动，导电性能增强，电流可以更大，电阻率下降
但是再多铺几层，A的晶格力量不足以约束B，B就会回归自己的的晶格间距，结果晶格失序
办法是铺几层B就再铺几层A，间隔铺A与B
这俩件事情都是借助晶格的内应力来实现自己的目的
所以物理学家是最棒的
我不认为韩国的这次超导事件是完全炼丹的结果
没有现代物理学的支撑
这一切都太难发生
最后结果也许并不是一步到位的超导
但是我对人类的发现充满信心
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