光刻机的分辨率和套刻精度是衡量光刻机性能的两个关键指标。
分辨率指的是光刻机能够清晰投影最小图像的能力，它决定了光刻机能够被应用于的工艺节点水平。光刻机的分辨率与光源波长、数值孔径（NA）以及工艺相关参数有关，具体的计算公式为：R = \frac{k_1 \times \lambda}{NA}，其中 R 代表分辨率，k_1 是工艺相关参数，\lambda 代表光源波长，NA 是光学镜头的数值孔径。
套刻精度则是指在多次光刻过程中，不同层次之间的图案对准精度。如果对准的偏差过大，就会直接影响产品的良率。套刻精度对于高阶的光刻机来说尤为重要，设备供应商通常会提供单机自身的两次套刻误差和不同设备间的套刻误差这两个数值。
随着集成电路制造工艺的发展，对光刻机的分辨率和套刻精度要求也在不断提高。例如，浸润式光刻机在193nm的光源下，通过使用水的折射率，可以将等效波长缩小到134nm，从而实现更高的分辨率。而在套刻精度方面，为了实现更小的特征尺寸，如7nm或更小节点的芯片制造，光刻机的套刻精度需要达到非常高的水平，通常要求在几纳米的范围内。
此外，为了进一步提高分辨率和套刻精度，光刻机制造商和芯片制造商正在不断探索新的技术和方法，如极紫外光刻技术（EUV），该技术使用更短的波长（约13.5nm）来实现更高的分辨率，并且也是制造更先进工艺节点芯片的关键技术。

由上述分析可以看出，我国光刻机的分辨率不低，为65nm，翻开阿斯麦官网上光刻机的技术指标可以知道，同样分辨率情况下，他们的套刻精度是我们的三分之一。
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