- 主题:肖特基双工备份电源电路和保护二极管的泄放回路冲突问题
方法我有,你稍微等一下,我弄个multisim的图给你看,不过你是一定要用两个肖特基吗?我的方法比较复杂,要改你的电源部分
【 在 ztg 的大作中提到: 】
: 图是示意图,图上就是一般常用的芯片输入pin的外置保护电路,正常电路保护上管的阴极应该接正电源,我这个应用正电源比较特殊,是双电源加肖特基构成的备份电源,任何一路没电都不会导致系统没电。同时有电的话,由电压较高的那路供电。当电压较高的那路没电的话,由电压较低的那路供电。不知道你明白了吗?跟检波完全没有关系。
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FROM 117.63.132.*
能明白你的意思,因为D5,D6那样是两个电源供电的常见做法, D4也是对输入信号限幅的常见做法,只是这两个碰巧放一起,你这个电路对输入信号的限幅就没有回路了。
你可以将D4换成合适电压的TVS管看看
【 在 ztg (迷迷糊糊) 的大作中提到: 】
: 图是示意图,图上就是一般常用的芯片输入pin的外置保护电路,正常电路保护上管的阴极应该接正电源,我这个应用正电源比较特殊,是双电源加肖特基构成的备份电源,任何一路没电都不会导致系统没电。同时有电的话,由电压较高的那路供电。当电压较高的那路没电的话,由电
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FROM 124.16.189.*
其实你这个问题可以归纳成,能不能设计一个电源切换电路,当20V有点的时候,就用20V供电,当20V没有的时候,就用5V供电,能把上面这个问题解决了,其他你可以和原来保持不变,包括保护也不变
【 在 ztg 的大作中提到: 】
: 如图所示,
: 一般设计都采用两个肖特基二极管实现两路电源备份使用,但由于肖特基二极管的存在,导致外部input信号正半周高压无法通过上面的保护管泄放到电源回路,保护二极管岂不失去其保护作用?
: 思来想去,只有电源上的电容可以给该电流提供泄放回路,又担心仅仅这条泄放回路怕是不足以保护。
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FROM 117.63.132.*
总结的到位。
【 在 dismoon 的大作中提到: 】
: 其实你这个问题可以归纳成,能不能设计一个电源切换电路,当20V有点的时候,就用20V供电,当20V没有的时候,就用5V供电,能把上面这个问题解决了,其他你可以和原来保持不变,包括保护也不变
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FROM 221.219.99.*
那如果你不介意改电路的话,稍微增加一点成本,我用几个运放就能实现你这个要求,你等等,我在画电路
【 在 ztg 的大作中提到: 】
: 总结的到位。
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FROM 117.63.132.*
大概这么个意思,这个电路供不出太多电流,如果你要大电流,还要改进一下,不过至少可以解决你pin上被阻断的问题
我这电路有毛病,好像会自震荡,容我在想想,反正思路就是这么个思路
【 在 ztg 的大作中提到: 】
: 总结的到位。
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修改:dismoon FROM 117.63.132.*
FROM 117.63.132.*
多虑了,esd只看pin正常工作电压范围,内部被保护器件bv;
而且你里面被保护器件的电源也是你二选一出来的电源吧?
只要esd器件和被保护器件并联,至于还有多少公共放电路径,其实无所谓的;
其实我倒是觉得如果输入确定小于5V的话,随便搞个6V的tvs也够了,不用纠结一定有到电源的diode路径;
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修改:ericking0 FROM 171.214.234.*
FROM 171.214.234.*
嗯,您说的有道理,也许根本就不是问题。
【 在 ericking0 的大作中提到: 】
: 多虑了,esd只看pin正常工作电压范围,内部被保护器件bv;
: 而且你里面被保护器件的电源也是你二选一出来的电源吧?
: 只要esd器件和被保护器件并联,至于还有多少公共放电路径,其实无所谓的;
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FROM 111.199.188.*
之所以用BAV199而不用TVS,原因是其有极低的leakage电流,pA级,一般的TVS的leakage电流都nA级的,不能用。
【 在 ericking0 的大作中提到: 】
: 多虑了,esd只看pin正常工作电压范围,内部被保护器件bv;
: 而且你里面被保护器件的电源也是你二选一出来的电源吧?
: 只要esd器件和被保护器件并联,至于还有多少公共放电路径,其实无所谓的;
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FROM 111.199.188.*
所以,楼主你想想,绕了一圈,是不是还是在电源上并个tvs或者稳压管最省事?漏电流也不影响了。
【 在 ztg 的大作中提到: 】
: 之所以用BAV199而不用TVS,原因是其有极低的leakage电流,pA级,一般的TVS的leakage电流都nA级的,不能用。
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: 【 在 ericking0 的大作中提到: 】
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- 来自「最水木 for iPhone 8」
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FROM 124.64.16.*