IRS2003S虽然老旧，性能也不会那么差的，看一下：
（1）驱动电阻的阻值，7~8nF的输入电容比较大了，需要用小一些的驱动电阻，推荐使用10~20欧姆的。
（2）IRS2003S的电源电压，手册上写的是10V~20V，推荐使用12V~16V。
（3）IRS2003S的VCC与VB管脚两个管脚的电容要紧挨着IRS2003S布置。
（4）VCC与VB管脚之间的二极管推荐使用肖特基二极管。
（5）IRS2003S与MOS管的距离不要太远了,如果不在同一块板上的话要用双绞线连接。

【 在 intron 的大作中提到: 】
: 请见本帖附件。
: 上升沿、下降沿都不陡峭。现在MOSFET的发热比较厉害。
: 现在还在用老旧的驱动器 IRS2003S，打算换用 EG3112。
: ...................
--
FROM 122.238.143.*

G脚tao值过大，其他人建议的没错，减少R，
建议

      -----------肖特基-----------
      |              |
--------------------R------------------------------------
                  |
                  C
                  |
                 GND

快速关断
至于打开速度你要是觉得慢，除了tao值，只能加电压了


【 在 intron 的大作中提到: 】
: 目前是 IRFB7437。
: Ciss 典型值 7.33nF，Qg 典型值 150nC。
:
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修改:dismoon FROM 180.116.132.*
FROM 180.116.132.*

你这是一个周期0.8ms？
1.25KHz的速度，发热应该和切换的时候陡峭不陡峭关系不大啊
导通时长多少？你测一下DS电压呢

【 在 intron 的大作中提到: 】
: 请见本帖附件。
: 上升沿、下降沿都不陡峭。现在MOSFET的发热比较厉害。
: 现在还在用老旧的驱动器 IRS2003S，打算换用 EG3112。
: ...................
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FROM 180.116.132.*

他这个也有可能是示波器不行

【 在 dismoon 的大作中提到: 】
: 你这是一个周期0.8ms？
: 1.25KHz的速度，发热应该和切换的时候陡峭不陡峭关系不大啊
: 导通时长多少？你测一下DS电压呢
: ...................
--
FROM 112.64.62.*

感谢关注。

我的电路没有用到半桥，而是 DC-AC 的推挽变压器结构。
两只 MOSFET 的源极都接地，没有浮地。
IRS2003S 的 VB(自举电容正端) 接 VCC，VS(浮地) 接 GND。
HO 和 LO 的输出电压范围都是 0 - VCC。

至于 EG3112，我只买了两片测试一下。
并且我也暂不打算尝试其中的 DMOS 器件的耐高压情况。
听你这么一说，我有点怀疑他们对于 高电压 BCD 工艺
(Bipolar-CMOS-DMOS) 集成电路的设计水平了。

稍后贴出提升 VCC 后的栅极波形图，以及
德国 Infineon(美国 IRF) IRS2003S 与
台州屹晶微 EG3112 的对比波形图。


【 在 dismoon (伐开心要包包) 的大作中提到: 】
: 标  题: Re: 求拍砖：这个MOSFET栅极波形是不是相当差？
: 发信站: 水木社区 (Tue Jan  4 20:04:19 2022), 站内
:
:
: 别用EG3112
: 别用EG3112
: 别用EG3112
:
: 1. 你要的是开关速度，EG3112是开关能力强，速度呵呵呵，而且管脚的寄生电容很大
: 2. 悬浮地charge不够，如果你是搭桥，开关频率高，经常是上面一个MOS打开了，充电电荷不足够长时间打开管子（你总要考虑有漏电），我用下来基本上搭桥开关频率超过4KHz你就不如老实光耦+NPN/PNP再去驱动MOS了
:
: 【 在 intron 的大作中提到: 】
: : 请见本帖附件。
: : 上升沿、下降沿都不陡峭。现在MOSFET的发热比较厉害。
: : 现在还在用老旧的驱动器 IRS2003S，打算换用 EG3112。
: : ...................
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: ※ 来源:·水木社区 http://www.mysmth.net·[FROM: 180.116.132.*]
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修改:intron FROM 111.196.244.*
FROM 111.196.244.*